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1N3595中文资料

1N3595图片

1N3595外观图

  • 大小:284.45KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:SMALL SINGNAL DIODES 1N3595 Symbol Parameter Value Units V RRM Maximum Repetitive Reverse Voltage 150 V I F(AV) Average Rectified Forward Current 200 mA I FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 second Pulse Width = 1.0 microsecond 1.0 4.0 A A T stg Storage Temperature Range -65 to +200 °C T J Operating Junction Temperature 175 °C Symbol Parameter Value Units P D Power Dissipation 500 mW R θJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 300 C/W Symbol Parameter Test Conditions Min Max Units V R Breakdown Voltage I R = 100 μ A 150 V V F Forward Voltage I F = 1.0 mA I F = 5.0 mA I F = 10 mA I F = 50 mA I F = 100 mA I = 200 mA 0.52 0.60 0.65 0.75 0.79 0.83 0.68 0.75 0.80 0.88 0.92 1.00 V V V V V V I R Reverse Current V R = 125 V V R = 30 V, T A = 125°C V R = 125 V, T A = 125°C V R = 125 V, T A = 150°C 1 0.3 0.5 3 nA μ A μ A μ A C T Total Capacitance V R = 0, f = 1.0 MHz 8 pF t rr Reverse Re
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):150V
  • 电流 - 平均整流 (Io):200mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 200mA
  • 速度:小信号 =
  • 反向恢复时间(trr):3µs
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1nA @ 125V
  • 电容@ Vr, F:8pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装:DO-35
  • 包装:散装

1N3595供应商

更新时间:2022-12-31 05:30:03
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